国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“减少LK膜层损耗的嵌入式外延层的形成方法”的专利，公开号CN121985574A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明公开了一种减少LK膜层损耗的嵌入式外延层的形成方法，包括：步骤一、提供形成有侧面形成有LK膜层栅极结构的半导体衬底。步骤二、进行原子层沉积工艺形成由第一氮化硅层组成硬质掩膜层。原子层沉积工艺不采用等离子体和氢气并通过增加成膜温度来调节沉积速率，以消除原子层沉积工艺中引入等离子体和氢气时对LK膜层的表面产生损伤。工艺气体采用DCS和氨气且采用循环模式通入，各次循环中，DCS采用脉冲式加直流式通入。步骤三、将嵌入式外延层的形成区域打开并刻蚀形成凹槽。步骤四、进行外延生长。步骤五、去除硬质掩膜层。本发明能消除定义嵌入式外延层的硬质掩膜层的生长和去除过程中对LK膜层产生的损耗，从而能增加器件的工艺窗口。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2081次，专利信息2754条，此外企业还拥有行政许可400个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
金鼎配资提示：文章来自网络，不代表本站观点。
